MEMS封裝到3D IC的關鍵技術─矽貫通電極(TSV)

摘要

在MEMS產業蓬勃發展之際,國內外廠商無不積極搶攻MEMS的大餅,2008年3月在SEMICON CHINA的MEMS研討會,台積電MEMS團隊(主流技術事業發展處)對外表示,已可整合MEMS與傳統CMOS製程,讓過去被定義為少量多樣的MEMS晶片在CMOS製程平台上發揮量大優勢。然而綜觀MEMS製造與封裝各道製程之後,可以發現矽貫通電極(TSV)的製程在MEMS元件共用性高,以及全球各大MEMS的產品都有看到矽貫通電極技術的產品。本文將介紹矽貫通電極技術與全球大廠發展狀況,並看好其技術未來可以衍伸許多3D IC的應用。

TSV擴展應用技術,從MEMS至3D IC

Source:拓墣產業研究所,2008/04

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